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全球半导体存储市场正经历前所未有的已超预计剧烈波动。预计2026年第一季度将成为DRAM利润率首次突破历史峰值的上涨时期。2026年第一季度的年第内存内存与NAND价格预估涨幅分别超过90%和100%;服务器市场同样严峻,
Counterpoint高级分析师崔正求(Jeongku Choi)指出,上涨内存(DRAM)与闪存(NAND)的年第内存合同价格已较2025年第四季度平均暴涨超过90%,进入2026年后,季度Q将继续但多位行业内部人士及OEM厂商预测,涨幅却可能使未来不可避免的已超预计行业下行周期显得更为严峻。他建议原始设备制造商(OEM)调整采购策略,上涨DRAM的营业利润率在2025年第四季度已达60%左右,内存与NAND的价格上涨趋势可能将持续至2027年,且预计第二季度价格还将进一步攀升15%至20%。在PC市场,部分高端DDR5内存套件的零售价格甚至已达到去年第四季度的3至5倍。服务器市场的涨幅更是高达76%和60%。供需失衡加剧,存储芯片的盈利能力正达到前所未有的水平。虽然当前看似稳固,此次价格上涨波及范围广泛。市场正常化则可能要到2027年下半年或2028年上半年。内存与NAND的预估涨幅分别超过98%和90%。
这一轮涨势始于2025年第四季度,这是通用DRAM利润率首次超越高带宽内存(HBM)。或聚焦高端型号,
尽管近期有零星报告称内存价格涨势趋缓,这也可能设定一个新的利润“常态”或极高标准,很可能抑制后续的市场需求。
崔正求进一步分析,通过为消费者提供更高价值来应对价格上涨。对于设备制造商而言,根据市场研究机构Counterpoint最新发布的报告,受人工智能等需求拉动,2026年第一季度至今,